大功率低损耗脉冲偏置三通管

大功率低损耗脉冲偏置三通管

大功率低损耗脉冲偏置三通管

偏置三通是无源射频电路,为被测有源器件提供直流偏置。偏置三通通常由电容和电感组成,通过将低频(DC)和高频(RF)信号组合到一个共同端口(RF+DC)上,起到双工器的作用。在经典的电容/电感设计中,电容器充当直流块,防止直流偏置进入射频路径,而电感充当RF扼流圈,防止射频能量进入直流仪器。

典型的应用包括为复杂系统(包括基站和无线电)内的放大器提供偏置;和偏置离散晶体管或封装器件的测试和测量应用,如DC/脉冲偏置s参数,DC/脉冲- iv,DC/脉冲偏置负载拉力,稳定性,稳健性,老化,预生产和生产测试。

偏置三通的重要特性包括:在偏置三通的可用频率范围内,在该频率范围内,偏置三通的性能降低最小或无性能下降,插入损耗和驻波比(或回波损耗)。电压、电流和射频功率在平均/DC/CW和脉冲/峰值操作中都是至关重要的。在脉冲偏置/脉冲射频条件下,具有最小的信号超调量的偏置三通也是必要的。

mbt系列偏置三通基于Maury的专利宽带电容器(美国专利9,614,267),它同时能够在高达18 GHz的同轴偏置三通中实现业界最宽的带宽、最低的插入损耗和最低的回波损耗。此外,其独特的设计使其成为脉冲应用的理想选择,包括脉冲IV和脉冲负载拉力表征,而不会扭曲电压和电流波形。偏见三通
美国专利号9,614,267

特性

  • 高射频功率处理
  • 高击穿电压
  • 高电流处理
  • 低插入损耗
  • 优秀的回波损耗
  • 脉冲能力

应用程序

  • 大功率系统偏置
  • 大功率基站集成
  • 测试和测量(负载拉力,脉冲测量,通用实验室…)

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